[发明专利]设计半导体装置的布局的方法有效
| 申请号： | 201510594079.X | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105447221B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郑光钰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种设计半导体装置的布局的方法。所述方法包括如下操作：由布局设计系统通过自对准双图案化工艺接收与目标芯片的尺寸和用于形成栅极线的单位布置宽度有关的信息。所述方法还包括：在所述目标芯片处分配输入和输出区、硬宏区以及标准单元区；通过应用栅极生成规则来调节所述标准单元区的宽度，所述栅极生成规则用于将位于所述标准单元区中的至少一个单元行的宽度设定为所述单位布置宽度的奇数倍。所述单位布置宽度对应于自对准双图案化工艺中的一对栅极线的中心之间的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 半导体 装置 布局 方法 | ||
【主权项】：
一种设计半导体装置的布局的方法，所述方法包括如下操作：通过布局设计系统的自对准双图案化工艺(SADP)接收与目标芯片的尺寸和形成栅极线的单位布置宽度有关的信息；在所述目标芯片处分配输入和输出区、硬宏区以及标准单元区；和通过应用栅极生成规则来调节所述标准单元区的宽度，所述栅极生成规则用于将位于所述标准单元区中的至少一个单元行的宽度设定为所述单位布置宽度的奇数倍，所述单位布置宽度对应于SADP工艺中的一对栅极线的中心之间的宽度。
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