[发明专利]一种镀制激光高反膜的方法在审
申请号: | 201510598036.9 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN105132871A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 惠建平;魏春刚;李永庆 | 申请(专利权)人: | 河北汉光重工有限责任公司 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 李微微;仇蕾安 |
地址: | 056028*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种镀制激光高反膜的方法,按一定比例混合几种常用高折射率单质薄膜材料,采用混合膜料镀制激光反射膜,使激光反射膜的抗损伤阀值和反射率大大提高;以该系列混合膜料作为高折射率材料,SiO2作为低折射率膜料镀制的激光反射膜,可使损伤阀值提高15%,吸收减小,机械强度增大,波长无飘移现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 高反膜 方法 | ||
【主权项】:
一种镀制激光高反膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、制作混合膜料H,其中混合膜料H选用混合材料TiO2:Ta2O5和Ta2O5:ZrO2中的一种;其中,TiO2:Ta2O5的比例选为9:1、8:2或7:3;Ta2O5:ZrO2的比例选为9:1、8:2或6:4;将SiO2作为膜料L;步骤2、对镀件(3)进行镀膜,具体为:0)、将镀件(3)置于真空镀膜机的真空室(1)上部,通过转轴(2)与真空室上壁连接,并可绕转轴(2)转动;离子源(5)设置在镀件(3)的下方,离子源(5)的两侧分别设置环形坩埚(6)和普通坩埚(7);其中环形坩埚(6)中盛放膜料H,其形状为圆环形凹槽,采用电子枪A(8)产生的电子束对其进行照射;环形坩埚(6)可绕圆环形凹槽的中心轴转动;普通坩埚(7)盛放膜料L,形状为圆形,采用电子枪B(9)产生的电子束对其进行照射;采用膜厚控制仪(4)监测镀件(3)的膜层厚度;1)、清理真空室(1),镀件(3)采用超声波清洗;2)、环形坩埚(6)转速设定为0.5r/min;镀件(3)转速设定为5r/min,对其进行烘烤;3)、设定镀件(3)的膜系结构,共33层,其中单数层镀制膜料H,双数层镀制膜料L;各膜层厚度均为光学厚度;其中,λ表示镀件(3)镀制完成后的工作波长的中心波长;4)、开始对真空室(1)抽真空,当真空度到达6.0×10‑3Pa后,镀件(3)转速调整到12r/min,离子源(5)的充氧气值为6.0sccm;真空度降至1.0×10‑2pa时,离子源(5)的离子束流调节到70mA;5)、电子枪B(9)的光斑调成圆形光斑,开始蒸镀普通坩埚(7)中的“H”膜料,蒸镀过程采用膜层控制仪(4)实时监控膜层厚度,当膜层厚度到达光学厚度时时,停止蒸镀,此时第1层蒸镀完成;然后,将电子枪A(8)调成“一”字型光斑,并使光斑照射在环形凹槽的膜料L上,同时保证光斑处于环形坩埚(6)的圆形的一条直径上,然后开始蒸镀环形坩埚(6)中的膜料L,蒸镀过程监控膜层厚度,当膜层到达光学厚度时,停止蒸镀,此时第2层蒸镀完成;如此反复以上过程,直至第33层蒸镀完成;6)、蒸镀完成后,将真空室(1)降到室温后,取出镀件(3),并对镀件(3)进行烘烤,烘烤温度为300℃,保持8‑10h后,室温取出。
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