[发明专利]含光学微腔结构的QLED及其制备方法在审
| 申请号： | 201510598600.7 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105161584A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 肖标;付东;闫晓林 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于量子点发光二极管领域，提供了一种含光学微腔结构的QLED及其制备方法。所述含光学微腔结构的QLED，包括依次层叠设置的第一电极、量子点发光层和第二电极，其中，所述第一电极、所述第二电极分别为阳极和阴极；或所述第一电极、所述第二电极分别为阴极和阳极，还包括设置在所述第一电极背离所述量子点发光层一侧的光学微腔结构，所述光学微腔结构由一个干涉单元或多个层叠设置的干涉单元构成，所述干涉单元包括第一折射率层和层叠设置在所述第一折射率层上的第二折射率层，其中，所述第一折射率层的折射率大于第二折射率层的折射率，且所述第一电极层叠设置在所述第二折射率层上。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 结构 qled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含光学微腔结构的QLED，包括依次层叠设置的第一电极、量子点发光层和第二电极，其中，所述第一电极、所述第二电极分别为阳极和阴极；或所述第一电极、所述第二电极分别为阴极和阳极，其特征在于，还包括设置在所述第一电极背离所述量子点发光层一侧的光学微腔结构，所述光学微腔结构由一个干涉单元或多个层叠设置的干涉单元构成，所述干涉单元包括第一折射率层和层叠设置在所述第一折射率层上的第二折射率层，其中，所述第一折射率层的折射率大于第二折射率层的折射率，且所述第一电极层叠设置在所述第二折射率层上。
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