[发明专利]基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201510603661.8 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105223248B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王春蕾;王琪;钟敏;阚显文 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 张苗,罗攀 |
| 地址： | 241002 安徽省芜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极及其制备方法和应用，其中，所述制备方法包括1)在玻碳电极表面沉积碳纳米管，制得碳纳米管修饰电极；2)将步骤1)中制得的碳纳米管修饰电极置于含有3‑氨基苯硼酸和芦丁的缓冲液中，采用循环伏安法制得3‑氨基苯硼酸修饰电极；3)将3‑氨基苯硼酸修饰电极进行洗脱，制得基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极。本发明通过上述设计，从而实现了能对芦丁进行特异性识别，具有较高的抗干扰能力，并能对芦丁进行灵敏的定量检测，制备简单且成本低廉的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硼酸 印迹 聚合物 纳米 修饰 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)在玻碳电极表面沉积碳纳米管，制得碳纳米管修饰电极；2)将步骤1)中制得的碳纳米管修饰电极置于含有3‑氨基苯硼酸和芦丁的缓冲液中，采用循环伏安法制得3‑氨基苯硼酸修饰电极；3)将3‑氨基苯硼酸修饰电极进行洗脱，制得基于苯硼酸印迹聚合物/碳纳米管修饰电极。
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