[发明专利]LDMOS器件埋层的工艺方法有效
| 申请号： | 201510607086.9 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105140129B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨文清;乐薇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件埋层的工艺方法，包含：第1步，在硅衬底上，使用光刻胶定义出N型埋层区，并且在N型埋层区的外围，定义出一个或者多个包围所述N型埋层区的N型环形埋层区；第2步，进行N型埋层的注入，杂质通过光刻打开的N型埋层区窗口以及N型环形埋层区窗口进入衬底中，形成N型埋层区和N型环形埋层区；第3步，进行高温推进；第4步，进行P型杂质离子的普注，形成P型埋层。本发明不增加光刻层数，依然采用P型埋层普注的方式，调节N型埋层边缘处的浓度，提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件埋层的工艺方法，其特征在于，包含：第1步，在硅衬底上，使用光刻胶定义出N型埋层区，并且在N型埋层区的外围，定义出一个或者多个包围所述N型埋层区的N型环形埋层区；所述N型埋层区与N型环形埋层区的间距，以及多个N型环形埋层区之间的间距，均为0.5～8μm；第2步，进行N型埋层的注入，杂质通过光刻打开的N型埋层区窗口以及N型环形埋层区窗口进入衬底中，形成N型埋层区和N型环形埋层区；第3步，进行高温推进；第4步，进行P型杂质离子的注入，形成P型埋层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
