[发明专利]FinFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201510612319.4 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105304715A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度界面。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度界面。
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