[发明专利]具有高速低电压双位存储器的1T紧凑型ROM单元有效
| 申请号： | 201510612948.7 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105448344B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 拉雅·科利;帕特里克·冯德斯蒂哥;杰瓦兰特·库马尔·米什拉;潘卡吉·阿加瓦尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/12 | 分类号： | G11C17/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ROM存储器件，包括多个行和列的存储单元，每个存储单元包括位线对和用于在其中存储两位数据的晶体管；以及布置在位线对的相邻对之间的虚拟接地线，其中所述位线对和虚拟接地线用于读取在存储单元中存储的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高速 电压 存储器 紧凑型 rom 单元 | ||
【主权项】：
1.一种ROM存储器件，包括：多个行和列的存储单元，每个存储单元包括位线对和用于在其中存储两位数据的晶体管；以及布置在位线对的相邻对之间的虚拟接地线，其中所述位线对和虚拟接地线被配置为读取在存储单元中存储的数据，其中，所述ROM存储器件包括具有预定数目输入的列复用器，其中所述位线对和虚拟接地线是所述列复用器的输入，且其中列复用器的没有接地的或正被读取的输入处于不必关注状态。
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