[发明专利]一种互联载板的制作方法有效
申请号: | 201510613442.8 | 申请日: | 2015-09-23 |
公开(公告)号: | CN105321867B | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 杨道国;蔡苗;王沪 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种互联载板的制作方法,其包括放置下辅助板;在下辅助板上形成高温可汽化或粘度可降低的粘膜;在所述粘膜上形成金属层;图形化所述金属层,形成目标互联载板所需的载板线路;在形成的所述载板线路正上方,安装并压紧吸附了辅助薄膜的上模板,使得所述载板线路位于所述粘膜与所述辅助薄膜之间;在被粘膜和所述辅助薄膜压紧的载板线路的空隙中填充模塑封料,并在所述模塑封料固化之后去除所述上模板及辅助薄膜;将去除所述上模板及辅助薄膜后的工序装置放置于使粘膜汽化或粘度可降低的温度环境里,使得所述粘膜完成汽化或粘度降低至互联载板可不损伤地分离下辅助板;取下所述互联载板,对其进行烘干和冷却,得到目标互联载板。 | ||
搜索关键词: | 一种 互联载板 制作方法 | ||
【主权项】:
一种互联载板的制作方法,其包括:步骤1:放置下辅助板;步骤2:在下辅助板上形成高温可汽化或粘度可降低的粘膜;步骤3:在所述粘膜上形成金属层;步骤4:图形化所述金属层,形成目标互联载板所需的载板线路;步骤5:在形成的所述载板线路正上方,安装并压紧吸附了辅助薄膜的上模板,使得所述载板线路位于所述粘膜与所述辅助薄膜之间;步骤6:在被粘膜和所述辅助薄膜压紧的载板线路的空隙中填充模塑封料,并在所述模塑封料固化之后去除所述上模板及辅助薄膜;步骤7:将去除所述上模板及辅助薄膜后的工序装置放置于使粘膜汽化或粘度可降低的温度环境里,使得所述粘膜完成汽化或粘度降低至互联载板可不损伤地分离下辅助板;步骤8:取下所述互联载板,对其进行烘干和冷却,得到目标互联载板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510613442.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造