[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510617710.3 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105448912B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 尾田秀一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/06;H01L21/04;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的性能。半导体装置包括SOI基板(SB1)以及在SOI基板(SB1)上形成的MISFET(Q1)。SOI基板(SB1)具有基体(SS1)、在基体(SS1)上形成的接地面区域(GP)、在接地面区域(GP)上形成的BOX层(3)以及在BOX层(3)上形成的SOI层(4)。基体(SS1)由硅构成，接地面区域(GP)包括由碳化硅构成的半导体区域(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体基板；以及场效应晶体管，形成于所述半导体基板，所述半导体基板具有：第1基体；第1导电类型的第1半导体区域，形成在所述第1基体上或者所述第1基体的上层部；绝缘层，形成在所述第1半导体区域上；以及半导体层，形成在所述绝缘层上，所述第1基体由硅构成，所述第1半导体区域由碳化硅构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
