[发明专利]一种CMOS晶体管及LTPS阵列基板的制作方法

摘要

本发明公开一种CMOS晶体管的制作方法，包括：首先在基板上依次形成沉积缓冲层和非晶硅层，然后将非晶硅层晶化为对应NMOS的第一多晶硅层和对应PMOS的第二多晶硅层。对多晶硅层进行光阻覆盖，利用一次光罩进行曝光，使该光罩对应于第一多晶硅层的第一区域透光性大于该光罩对应第二多晶硅层的第二区域透光性，并且第二区域面积小于第二多晶硅层面积。对曝光后裸露在外的第二多晶硅层两端进行第一程度掺杂。清除光阻使第一多晶硅层裸露，对裸露的第一多晶硅层进行第二程度掺杂。清除剩余光阻。本发明还公开了一种LTPS阵列基板的制作方法。通过上述方式，本发明减少操作流程，从而降低LTPS的生产成本。

主权项

1.一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于包括：提供基板，在所述基板上形成沉积缓冲层，在所述沉积缓冲层上沉积非晶硅层；将所述非晶硅层晶化为对应NMOS的第一多晶硅层以及对应PMOS的第二多晶硅层；形成第一光阻层以覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层；使用一次光罩对所述第一光阻层进行曝光，其中所述光罩对应所述第一多晶硅层的第一区域透光性大于所述光罩对应所述第二多晶硅层的第二区域透光性，并且所述第二区域面积小于所述第二多晶硅层面积；对所述第一光阻层进行曝光后，所述第一多晶硅层上留下第一剩余光阻，所述第二多晶硅层上留下第二剩余光阻，所述第一剩余光阻的厚度小于第二剩余光阻的厚度，并且所述第一剩余光阻完全覆盖所述第一多晶硅层，所述第二剩余光阻覆盖所述第二多晶硅层的中部区域，暴露所述第二多晶硅层的两端；进行第一程度掺杂，使得所述第二多晶硅层暴露的两端掺杂成功；对进行第一程度掺杂后的所述第一剩余光阻、所述第二剩余光阻进行第一次清除，使得所述第一多晶硅层上的所述第一剩余光阻清除掉，所述第二多晶硅层上留下第三剩余光阻；进行第二程度掺杂，使得所述第一多晶硅层掺杂成功，其中所述第二程度掺杂比所述第一程度掺杂的掺杂轻；对进行第二程度掺杂后的所述第三剩余光阻进行第二次清除，使得所述第二多晶硅上的所述第三剩余光阻完全清除掉；所述第一程度掺杂是对所述第二多晶硅层暴露在外的两端采用扩散或离子注入的方式进行硼的重掺杂，形成P沟道，进一步形成PMOS的欧姆接触层；所述第二程度掺杂是采用扩散或离子注入的方式进行硼的轻掺杂，所述第二程度掺杂后在所述第一多晶硅层形成N沟道。