[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201510617952.2 | 申请日: | 2015-09-24 |
公开(公告)号: | CN105097676B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 彭俊林;袁帅;黄明;赵黎渌;徐丰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/133;G02F1/136 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,用以减小钝化层与源漏电极引出线两侧所对应的区域和钝化层与该源漏电极引出线上表面所对应的区域之间的落差,从而提高开口率。所述阵列基板的制作方法包括在衬底基板上依次形成源漏电极引出线和钝化层在对所述钝化层进行构图工艺形成过孔的同时,对所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域进行减薄处理,使减薄处理后的所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域高于其他区域的表面。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,该方法包括:在衬底基板上依次形成源漏电极引出线和钝化层;在对所述钝化层进行构图工艺形成过孔的同时,对所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域进行减薄处理,使减薄处理后的所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域高于其他区域的表面;其中,在对所述钝化层进行构图工艺形成过孔的同时,对所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域进行减薄处理,使所述钝化层与所述源漏电极引出线所对应的区域高于其他区域的表面,包括:在所述钝化层上形成光刻胶层;采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影,形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域,其中所述光刻胶部分保留区域与所述源漏电极引出线相对应,所述光刻胶完全去除区域与钝化层中用于形成过孔的区域相对应;对钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域进行减薄处理;去除光刻胶部分保留区域的光刻胶;对钝化层与所述光刻胶部分保留区域所对应的区域进行减薄处理,同时完全去除钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域,形成所述过孔;其中,对钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域进行减薄处理,包括:刻蚀钝化层与所述光刻胶完全去除区域所对应的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510617952.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶片的加工方法
- 下一篇:一种新型成揽张力电动控制
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造