[发明专利]用于光传感器的光电组件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510620836.6 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106558635B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞钦;孙国升 | 申请（专利权）人： | 凌巨科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 中国台湾苗栗*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种用于光传感器之光电组件及其制作方法，其包含第一金属层(11)、半导体层(13)、阻隔区(131)以及透明导电层(15)，该阻隔区(131)透过氧化方式反应形成于该半导体层(13)的侧壁，该光电组件(10)在用于光传感器时可通过该阻隔区(131)防止该半导体层(13)的侧壁有漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 传感器 光电 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于光传感器的光电组件的制作方法，其特征在于，包含步骤：提供一第一金属层(11)；设置一半导体层(13)于所述第一金属层(11)上，所述半导体层(13)包括二极管；设置一透明导电层(15)于所述半导体层(13)上；氧化所述半导体层(13)的侧壁，反应形成一阻隔区(131)。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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