[发明专利]一种降低CMOS图像传感器白像素的集成工艺

摘要

本发明公开了一种降低CMOS图像传感器白像素的集成工艺，包括在基体中形成浅沟槽隔离；在基体表面依次生长一垫氧化层和一氮化硅阻挡层；涂敷光刻胶，以图形化的光刻胶为阻挡层，并透过氮化硅阻挡层，对基体进行离子注入，以在基体中形成光电二极管及其周围的隔离区；去除氮化硅阻挡层和垫氧化层，然后，生长栅氧化层和多晶硅层；形成多晶硅传输栅和侧墙，以及进行浅层离子注入；形成层间电介质和金属层。氮化硅阻挡层能够阻挡离子注入、尤其是高能离子注入过程中因电子淋浴挥发的金属元素所引入的金属杂质，同时能够减少离子注入在浅层区域由于电弧效应所引起的晶格缺陷，从而有效地降低白像素。

主权项

一种降低CMOS图像传感器白像素的集成工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一硅基体，在所述基体中形成浅沟槽隔离；步骤S02：在所述基体表面依次生长一垫氧化层和一氮化硅阻挡层；步骤S03：涂敷光刻胶，以图形化的光刻胶为阻挡层，并透过氮化硅阻挡层，对所述基体进行离子注入，以在所述基体中形成光电二极管及其周围的隔离区；其中，还通过以氮化硅阻挡层作为离子注入时的阻挡层，利用氮化硅阻挡层阻挡离子注入过程中电子淋浴所挥发的金属元素离子，同时减少离子注入在浅层区域由于电弧效应引起的注入损伤，以有效降低白像素；步骤S04：去除所述氮化硅阻挡层和垫氧化层，然后，生长栅氧化层和多晶硅层；步骤S05：形成多晶硅传输栅和侧墙，以及进行浅层离子注入；形成层间电介质和金属层。