[发明专利]具有源极/漏极的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510622878.3 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105470305B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨昌宰;前田茂伸;金昶和;崔永文 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个示例实施例，该半导体器件以如下方式提供。有源鳍从衬底突起，沿着一个方向延伸。栅极结构与该有源鳍的第一区域交叉。源极/漏极布置在该有源鳍的第二区域上。该源极/漏极包括上表面及竖直侧表面。竖直侧表面实质上平行于有源鳍的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；有源鳍，其从所述衬底突起并且沿着一个方向延伸；栅极结构，其与所述有源鳍的第一区域交叉；以及源极/漏极，其布置在所述有源鳍的第二区域上，其中所述源极/漏极包括上表面和竖直侧表面，所述竖直侧表面实质上平行于所述有源鳍的侧表面；所述有源鳍的第一区域的上表面与所述有源鳍的第二区域的上表面共面；通过从所述有源鳍的侧表面和上表面进行晶体生长来形成所述源极/漏极；所述衬底为{100}/<110>衬底，所述有源鳍的侧表面为{110}表面，并且所述有源鳍的上表面为{100}表面；并且所述源极/漏极的侧表面为{110}表面，并且所述源极/漏极的上表面为{111}表面。
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