[发明专利]一种二维钙钛矿薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，将MAX源、卤化铅源及目标衬底分别放在温区a，b及c位置。在设定的温度条件下，在衬底表面按照成核‑长大‑成膜的机理，实现二维大面积钙钛矿薄膜的制备。首先对控温区域b，c进行加热，使卤化铅源在目标衬底表面随机成核，生长在低覆盖度时形成分散的几十纳米尺寸的卤化铅岛状结构；此时开始对控温区域a进行加热，使所形成的岛状卤化铅转化为岛状钙钛矿；随着覆盖度的增加，卤化铅岛状结构逐渐长大，并不断被MAX转化为钙钛矿，最后不断长大的岛状钙钛矿直接拼接最终形成连续的二维连续钙钛矿薄膜，覆盖整个衬底表面。本发明所制备的钙钛矿薄膜厚度可控，具有较高的连续性、均匀性及结晶性。

主权项

一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于包括步骤：A、将MAX源、卤化铅源及衬底材料分别放入三温区CVD系统中的温区a、温区b及温区c上，抽真空，将所述温区b升温至200‑300℃，将所述CVD系统中的温区c升温至180‑280℃，通入氢气及氩气，控制所述CVD系统内的气压为0.5‑10Torr；B、待所述温区b和所述温区c的温度升到目标温度并保持一定时间以后，对所述温区a升温至70‑120℃，并维持至生长结束。