[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201510627931.9 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105470140B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | T·施勒塞尔;A·梅瑟 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及制造包含晶体管的半导体器件的方法包括在半导体衬底的主表面内形成场板沟槽(S400)，漂移区被限定在相邻的场板沟槽之间，在场板沟槽内形成场介电层(S410)，此后，在半导体衬底的主表面内形成栅极沟槽(S420)，沟道区域被限定在相邻的栅极沟槽之间，以及在场板沟槽的至少一些和栅极沟槽的至少一些内形成导电材料(S430)。该方法还包括在半导体衬底的主表面内形成(S440)源极区域和形成漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造包含晶体管的半导体器件(10)的方法，包括：在半导体衬底(100)的主表面(110)内形成场板沟槽(252)，漂移区(260)限定在相邻的场板沟槽(252)之间；在所述场板沟槽(252)内形成场介电层(251)；此后，在所述半导体衬底(100)的所述主表面(110)内形成栅极沟槽(212)，沟道区域(220)限定在相邻的栅极沟槽(212)之间；以及在所述场板沟槽(252)中的至少一些所述场板沟槽和所述栅极沟槽(212)的至少一些所述场板沟槽内形成导电材料(170)，所述方法还包括在所述半导体衬底(100)的所述主表面(110)内形成源极区域(201)并形成漏极区域(205)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510627931.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
