[发明专利]一种基片的加热设备及加热方法有效
| 申请号： | 201510628018.0 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106555159B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李强;张伟;白志民 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基片的加热设备及加热方法，涉及半导体技术领域，能够缩短基片的平均加热去气时长。其中基片的加热设备包括：加热腔室及位于加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置；第一承载装置承载未加热的基片，第一加热装置对未加热的基片进行预加热，第二承载装置承载预加热后的基片，第二加热装置对预加热后的基片进行再加热；或者第二承载装置承载未加热的基片，第二加热装置对未加热的基片进行预加热，第一承载装置承载预加热后的基片，第一加热装置对预加热后的基片进行再加热；当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行，当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。 | ||
| 搜索关键词： | 预加热 加热装置 加热 再加热 第二承载装置 第一承载装置 加热设备 承载 半导体技术领域 加热腔室 加热腔 去气 时长 室内 | ||
【主权项】：
1.一种基片的加热设备，其特征在于，包括：加热腔室及位于所述加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置，其中所述第一承载装置与所述第一加热装置对应设置，所述第二承载装置与所述第二加热装置对应设置；所述第一承载装置用于承载未加热的基片，所述第一加热装置用于对所述未加热的基片进行预加热，所述第二承载装置用于承载预加热后的基片，所述第二加热装置用于对所述预加热后的基片进行再加热；或者，所述第二承载装置用于承载未加热的基片，所述第二加热装置用于对所述未加热的基片进行预加热，所述第一承载装置用于承载预加热后的基片，所述第一加热装置用于对所述预加热后的基片进行再加热；其中，当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行，当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。
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