[发明专利]化学增幅型负型抗蚀剂组合物、光固化性干膜、制备方法和图案化方法有效
| 申请号： | 201510639031.6 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105487337B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 浅井聪;竹村胜也;曾我恭子 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/004;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包含带有机硅结构的聚合物的化学增幅型负型抗蚀剂组合物形成可容易图案化的膜。经图案化的膜紧密地粘合于各种基材并且由于耐碱性和可靠性的改善适合作为电气/电子部件上的保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 增幅 型负型抗蚀剂 组合 光固化 性干膜 制备 方法 图案 | ||
【主权项】：
化学增幅型负型抗蚀剂组合物，包含(A)带有机硅结构的聚合物，其包含通式(1)的重复单元并且具有重均分子量3,000～500,000，![]()
其中R1～R4各自独立地为一价C1‑C8烃基，m是1～100的整数，a、b、c和d各自独立地为0或正数，a+b>0，并且a+b+c+d＝1,X为具有通式(2)的二价有机基团:![]()
其中W为选自以下的二价有机基团:![]()
n为0或1，R5和R6各自独立地为C1‑C4烷基或烷氧基，k独立地为0、1或2，Y为具有通式(3)的二价有机基团：![]()
其中V为选自以下的二价有机基团:![]()
p为0或1，R7和R8各自独立地为C1‑C4烷基或烷氧基，h独立地为0、1或2，(B)选自具有至少三个羟基的多元酚的至少一种化合物，(C)光致产酸剂，其曝光于190～500nm的波长辐照时分解生成酸,以及(D)溶剂。
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