[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法。为了提供具有改善的性能的半导体器件同时改善半导体器件的制造步骤中的吞吐量。在半导体衬底上形成由第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜、第四绝缘膜和第五绝缘膜构成的绝缘膜部。所述第二绝缘膜是第一电荷存储膜并且所述第四绝缘膜是第二电荷存储膜。所述第一电荷存储膜含有硅和氮；所述第三绝缘膜含有硅和氧；并且所述第二电荷存储膜含有硅和氮。所述第三绝缘膜的厚度小于所述第一电荷存储膜的厚度并且所述第二电荷存储膜的厚度大于所述第一电荷存储膜的厚度。通过用含水的处理液对所述第一电荷存储膜的上表面进行处理来形成所述第三绝缘膜。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：/n(a)提供半导体衬底；/n(b)在所述半导体衬底的主表面的上方形成绝缘膜部；/n(c)在所述绝缘膜部的上方形成导电膜；以及/n(d)将所述导电膜和所述绝缘膜部图案化，由此形成栅电极以及在所述栅电极和所述半导体衬底之间的栅极绝缘膜，/n其中，步骤(b)包含以下步骤：/n(b1)在所述半导体衬底的所述主表面的上方形成含有硅和氧的第一绝缘膜；/n(b2)在所述第一绝缘膜的上方形成含有硅和氮的第二绝缘膜；/n(b3)在所述第二绝缘膜的上方形成含有硅和氧的第三绝缘膜；/n(b4)在所述第三绝缘膜的上方形成含有硅和氮的第四绝缘膜；/n(b5)在所述第四绝缘膜的上方形成含有硅和氧的第五绝缘膜，并且由此形成由所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜、所述第四绝缘膜和所述第五绝缘膜构成的所述绝缘膜部，/n其中，所述第三绝缘膜的厚度小于所述第二绝缘膜的厚度，并且所述第四绝缘膜的厚度大于所述第二绝缘膜的厚度，/n其中，在步骤(b2)中，所述第二绝缘膜是氮化硅膜，/n其中，在步骤(b3)中，用第一处理液直接处理所述第二绝缘膜的上表面，以形成所述第三绝缘膜，并且/n其中，所述第一处理液由在室温下具有至少10MΩcm的电阻率的纯水构成。/n