[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201510643456.4 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105632919B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 赵喜高 | 申请（专利权）人： | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 谭雪婷;彭西洋 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括步骤：形成p型半导体衬底；在所述p型衬底上生长埋氧层后，在所述埋氧层上形成n型外延层；在所述n型外延层的一侧注入p型杂质离子，形成具有预定深度的p‑/p+基区；在所述n型外延层的另一侧注入p型杂质离子，形成具有预定深度的p+环；在所述p‑/p+基区注入n型杂质离子，形成预定深度的n+区；在所述p‑/p+基区上形成第一栅极和阴极，并在所述p+环上形成阳极，在所述阴极和阳极之间形成第二栅极。本发明公开的绝缘栅双极型晶体管的制备方法旨在提供一种高抗闩锁性能，且能够快速完成开关的绝缘栅双极型晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、形成具有预定导电型杂质掺杂浓度的p型半导体衬底；S2、在所述p型衬底上生长埋氧层后，在所述埋氧层上形成n型外延层；S3、在所述n型外延层的一侧注入p型杂质离子，形成具有预定深度的p‑/p+基区；在所述n型外延层的另一侧注入p型杂质离子，形成具有预定深度的p+环；在所述p‑/p+基区形成预定深度的n+区；S4、在所述p‑/p+基区上形成第一栅极和阴极，并在所述p+环上形成阳极，在所述阴极和阳极之间形成第二栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
