[发明专利]界定半导体结构的隔离区域的方法有效
| 申请号： | 201510645162.5 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105489547B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | E·T·瑞安 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 提供用于界定半导体结构的隔离区域的方法。举例而言，本方法包括：提供具有凹口于其中的半导体结构；在该半导体结构中的该凹口内保形布置绝缘体层以部分填充该凹口；修改该绝缘体层的至少一种材料特性以在该凹口内获得致密化绝缘体层，其中，与该绝缘体层的厚度相比，该修改缩减该致密化绝缘体层的厚度；以及在该致密化绝缘体层上方于该凹口内沉积至少一个附加绝缘体层，其中，该凹口内的该致密化绝缘体层至少部分界定该半导体结构的隔离区域。 | ||
| 搜索关键词： | 界定 半导体 结构 隔离 区域 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其包含：提供具有凹口于其中的半导体结构；在该半导体结构中的该凹口内保形布置绝缘体层以部分填充该凹口；通过以至少一物种的气体团簇轰击该绝缘体层修改该绝缘体层的至少一种材料特性以在该凹口内获得致密化绝缘体层，其中，与该绝缘体层的厚度相比，轰击该绝缘体层包括控制该气体团簇于该绝缘体层的上表面内提供局部化高能量冲击其在微微秒的时标生成不高于摄氏1200度的高退火处理温度以缩减该致密化绝缘体层的厚度至少10％；以及在该致密化绝缘体层上方于该凹口内沉积至少一个附加绝缘体层，其中，该凹口内的该致密化绝缘体层至少部分界定该半导体结构的隔离区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
