[发明专利]液晶显示面板、阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510646037.6 申请日: 2015-09-30
公开(公告)号: CN105185792B 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 肖军城 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;H01L29/08;H01L29/417;H01L21/336;G02F1/136
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518006 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种液晶显示面板、阵列基板及其制造方法,所述方法中,在低温多晶硅有源层的源极掺杂区和漏极掺杂区中的至少其中一个掺杂区上形成可控电阻间隔层,所述可控电阻间隔层在栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用,而在栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用,使形成有所述可控电阻间隔层的接触区通过所述可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连。通过上述方式,本发明能够减少薄膜晶体管器件的漏电。
搜索关键词: 液晶显示 面板 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:利用第一光罩在基板上形成低温多晶硅有源层;利用第三光罩在所述低温多晶硅有源层上形成层间介电层,所形成的所述层间介电层上形成有两个导通孔,以暴露两部分低温多晶硅有源层;对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子掺杂处理,以分别形成所述低温多晶硅有源层的源极掺杂区和漏极掺杂区;至少在所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区上形成可控电阻间隔层;利用第四光罩在所述层间介电层上形成源极层和漏极层,并使所述源极层和漏极层分别通过所述层间介电层上的两个导通孔与所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区相连,其中形成有所述可控电阻间隔层的掺杂区通过所述可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连;其中,利用第一光罩在所述基板上形成低温多晶硅有源层之前或之后再利用第二光罩形成栅极层,所述可控电阻间隔层在所述栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用,而在所述栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用。
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