[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效
申请号: | 201510657182.4 | 申请日: | 2015-10-12 |
公开(公告)号: | CN105655346B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 朴璟镇;梁基燮;崔乘烈;金刚铉;李参锺 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及薄膜晶体管阵列基板。本发明涉及有机发光二极管(OLED)显示装置,以及制造OLED显示装置的方法。根据一个实施方案的OLED显示装置包括基板;形成在基板上并且在发光区和非发光区中的第一堤坝图案;形成在第一堤坝图案上的第二堤坝图案;形成在发光区中的基板上的有机发光层;以及形成在基板上以包括在非发光区中的第一堤坝图案和第二堤坝图案下的开口的平坦化膜。第二堤坝图案在非发光区中的第一堤坝图案上,并且第一堤坝图案在非发光区中的平坦化膜的开口中。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管显示装置,包括:基板,所述基板形成在发光区和非发光区中;有机发光层,所述有机发光层形成在所述发光区中的所述基板上;平坦化膜,所述平坦化膜形成在所述发光区和所述非发光区中的所述基板上;第一堤坝图案,所述第一堤坝图案形成在所述非发光区中的所述基板上并且具有在所述非发光区中的所述平坦化膜的开口中的部分;以及第二堤坝图案,所述第二堤坝图案形成在所述第一堤坝图案上并且具有在所述非发光区中的所述平坦化膜的所述开口中的部分,所述第二堤坝图案的所述部分的底表面比所述第二堤坝图案的所述部分的顶表面宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的