[发明专利]一种控制Nand flash内存读写的装置和方法在审
| 申请号： | 201510661821.4 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105205018A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王振 | 申请（专利权）人： | 上海斐讯数据通信技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种控制Nand flash内存读写的装置和方法，该装置包括：命令模块，用于产生控制Nand flash内存的操作指令，操作指令至少包括读取指令和写入指令；解析模块，通过I2C数据总线连接到命令模块，用于接收并解析操作指令；执行模块，连接Nand flash内存，用于根据解析得到的操作指令使Nand flash内存进行读取或写入操作；以及，传输模块，用于在确定Nand flash内存将进行的操作后，读取存储于Nand flash内存中的命令模块指定的数据或命令并传输到命令模块，或者接收Nand flash内存将写入的命令模块传输的数据或命令，以写入到Nand flash内存。本发明能够通过I2C总线来访问Nand flash内存，既可利用Nand flash内存的高存储密度，同时结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 nand flash 内存 读写 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种控制Nand flash内存读写的装置，所述装置连接到所述Nandflash内存，其特征在于，包括：命令模块，用于产生控制所述Nand flash内存的操作指令，所述操作指令至少包括读取指令和写入指令；解析模块，通过I2C数据总线连接到所述命令模块，用于接收并解析所述操作指令；执行模块，连接所述Nand flash内存，用于根据解析得到的操作指令使所述Nand flash内存进行读取或写入操作；以及，传输模块，用于在确定所述Nand flash内存将进行的操作后，读取存储于所述Nand flash内存中的所述命令模块指定的数据或命令并传输到所述命令模块，或者接收所述Nand flash内存将写入的所述命令模块传输的数据或命令，以写入到所述Nand flash内存。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海斐讯数据通信技术有限公司，未经上海斐讯数据通信技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510661821.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
