[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置包括：第一导电型第一主电极区；与第一主电极区接触的第一导电型漂移区；与漂移区接触的第一导电型第二主电极区；第二导电型阱区，设置在漂移区的表层部的一部分，并且基准电位施加到所述第二导电型阱区；以及第一导电性电位提取区，设置在阱区的表层部，并且基准电位施加到第一导电型电位提取区，其中，阱区用作对在电位提取区与漂移区之间流动的电流进行控制的基极区。因此，能够提供一种新型半导体装置，其能够抑制芯片尺寸的增大的同时具有高可靠性。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一导电型第一主电极区；第一导电型漂移区，与所述第一主电极区接触；第一导电型第二主电极区，与所述漂移区接触；第二导电型阱区，设置在所述漂移区的表层部的一部分，并且基准电位施加到所述第二导电型阱区；和第一导电型电位提取区，设置在所述阱区的表层部，并且基准电位施加到所述第一导电型电位提取区，其中，所述阱区用作对在所述电位提取区与所述漂移区之间流动的电流进行控制的基极区，所述阱区被设置为从所述漂移区延伸至所述第二主电极区上，并且比所述漂移区和所述第二主电极区浅。