[发明专利]一种AL刻蚀机台热量再利用的装置及方法有效
申请号: | 201510662415.X | 申请日: | 2015-10-14 |
公开(公告)号: | CN105244301B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 郭享;罗永坚;荆泉;任昱;吕煜坤;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种AL刻蚀机台热量再利用的装置及方法,本发明通过在原有AL刻蚀机台上添加一在第一干燥腔体的输出端口添加一分流阀,使经过第一干燥腔体干燥后的第一气体中的一部分流入第二干燥气体的输出端口,使该部分第一气体完成对第二气体的加热,采用本技术方案,可以实现AL刻蚀机台中的附属腔体中的高温气体的热量再利用,实现了对主蚀刻腔体的管路的加热,同时,无需外围的加热设备,在节约了相应的加热设备的购置和耗能成本的同时,达到了给主刻蚀腔体中排出的气体的加热效果。 1 | ||
搜索关键词: | 热量再利用 刻蚀机台 腔体 干燥腔体 加热设备 输出端口 加热 半导体设备 干燥气体 高温气体 加热效果 分流阀 刻蚀机 主刻蚀 主蚀刻 耗能 外围 附属 节约 | ||
【主权项】:
1.一种铝刻蚀机台热量再利用的装置,其特征在于,所述装置包括:附属腔体以及主蚀刻腔体;第一干燥腔室,与所述附属腔体贯通连接,以干燥所述附属腔体流出的第一气体;第二干燥腔室,与所述主蚀刻腔体贯通连接,以干燥所述主蚀刻腔体流出的第二气体;分流阀,包括一输入端口和至少一第一输出端口以及一第二输出端口,所述输入端口与所述第一干燥腔室连接,所述第一输出端口将所述输入端口输入的部分气体流入净气腔,所述第二输出端口通过一温度计流入净气腔;其中,所述第二干燥腔室与所述第二输出端口连接,所述第二干燥腔室流出的气体经过所述温度计流入所述净气腔;所述分流阀的第二输出端口通过一压力计与所述第二干燥腔室的输出端口连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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