[发明专利]一种减少厚膜电镀缺陷的方法在审
| 申请号： | 201510663029.2 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105244271A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 苏亚青;文静;张传民 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C25D7/12;C25D5/10;C25D5/16 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种减少厚膜电镀缺陷的方法，包括步骤：步骤1：提供一种半导体晶圆；步骤2：在所述半导体晶圆的表面，电镀上厚度大于0.2微米的第一铜膜层；步骤3：对完成电镀的半导体晶圆进行清洗和干燥；步骤4：将清洗和干燥后的半导体晶圆表面电镀上第二铜膜层；其中，所述第一铜膜层的厚度占电镀在所述半导体晶圆上的铜膜层的总厚度的70％-90％。本发明中采用两步电镀的方法，在步骤1中电镀的第一铜膜层厚度大于0.2微米，且第一铜膜层的厚度占电镀在所述半导体晶圆上的铜膜层的总厚度的70％-90％，使得本发明中分步电镀的铜膜层的厚度更合理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 电镀 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种减少厚膜电镀缺陷的方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：提供一种半导体晶圆；步骤2：在所述半导体晶圆的表面，电镀上厚度大于0.2微米的第一铜膜层；步骤3：对完成电镀的半导体晶圆进行清洗和干燥；步骤4：将清洗和干燥后的半导体晶圆表面电镀上第二铜膜层；其中，所述第一铜膜层的厚度占电镀在所述半导体晶圆上的铜膜层的总厚度的70％‑90％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
