[发明专利]磁阻器件有效
| 申请号： | 201510663825.6 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105527451B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | W.拉贝格;A.施特拉泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P3/44 | 分类号： | G01P3/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻器件。一种磁阻器件包括多个磁阻感测元件。多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层。自由层具有带有长宽比为2或更大的圆形凸面轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 器件 | ||
【主权项】：
一种磁速度传感器器件，包括：自旋阀类型的多个磁阻感测元件，其中磁阻感测元件被电连接以形成速度感测布置，其中多个磁阻感测元件中的每个包括自由层和参考层，其中每个磁阻感测元件的自由层包括等于或大于2的长宽比，并且其中每个磁阻感测元件的自由层包括圆形凸面轮廓。
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