[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510666124.8 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106611709B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;陈卓凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/11517;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干栅极叠层，所述栅极叠层包括依次层叠的浮栅、隔离层、控制栅和掩膜层；步骤S2：在所述半导体衬底和所述栅极叠层上依次形成第一间隙壁材料层和第二间隙壁材料层，以覆盖所述栅极叠层，其中所述第一间隙壁材料层选用氧化物；步骤S3：蚀刻所述第二间隙壁材料层，以露出所述半导体衬底上的以及所述掩膜层上部侧壁上的所述第一间隙壁材料层；步骤S4：蚀刻去除露出的所述第一间隙壁材料层，以在所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁；步骤S5：沉积停止层，以覆盖所述间隙壁以及所述掩膜层。所述方法进一步提高了NOR闪存的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干栅极叠层，所述栅极叠层包括依次层叠的浮栅、隔离层、控制栅和掩膜层；步骤S2：在所述半导体衬底和所述栅极叠层上依次形成第一间隙壁材料层和第二间隙壁材料层，以覆盖所述栅极叠层，其中所述第一间隙壁材料层选用氧化物；步骤S3：蚀刻所述第二间隙壁材料层，以露出所述半导体衬底上的以及所述掩膜层上部侧壁上的所述第一间隙壁材料层；步骤S4：蚀刻去除露出的所述第一间隙壁材料层，以在所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁；步骤S5：沉积停止层，以覆盖所述间隙壁以及所述掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
