[发明专利]静态随机存取存储器单元、静态随机存取存储器及电子装置有效
| 申请号： | 201510666331.3 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601287B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张弓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静态随机取存储器(SRAM)单元及静态随机取存储器和电子装置，涉及半导体技术领域。该SRAM单元包括：交叉耦合的第一反相器和第二反相器，其中，所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第一反相器具有第一存储节点，所述第二反相器具有第二存储节点；接在读位线和低电平之间的读传输晶体管；所述读传输晶体管的栅极通过第三反相器与所述第一存储节点或第二存储节点相连，所述第三反相器包括读上拉晶体管和读下拉晶体管。该SRAM单元相比8T SRAM单元可以在静态总漏电流增加较小的前提下，显著增大读电流。该SRAM和电子装置具有本发明的SRAM单元，因而具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种静态随机取存储器单元，其特征在于，包括：交叉耦合的第一反相器和第二反相器，其中，所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第一反相器具有第一存储节点，所述第二反相器具有第二存储节点；接在读位线和低电平之间的读传输晶体管；所述读传输晶体管的栅极通过第三反相器与所述第一存储节点或第二存储节点相连，所述第三反相器包括读上拉晶体管和读下拉晶体管。
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