[发明专利]基片及基片形成方法在审
| 申请号： | 201510671453.1 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601784A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 吴明驰 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/15;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基片及基片形成方法，其中，基片包括衬底；形成在衬底之上的外延层，外延层上具有多个微型坑，其中，多个微型坑通过熔融氢氧化钾在外延层上刻蚀形成；形成在外延层上的量子点发光层；形成在量子点发光层上的电子阻挡层；以及形成在电子阻挡层上的帽层。根据本发明实施例的基片，能够简单方便地形成量子点结构，生产效率和质量水平较高，推动了性能优越的量子点结构的光电子器件的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种基片，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的外延层，所述外延层上具有多个微型坑，其中，所述多个微型坑通过熔融氢氧化钾在所述外延层上刻蚀形成；形成在所述外延层上的量子点发光层；形成在所述量子点发光层上的电子阻挡层；以及形成在所述电子阻挡层上的帽层。
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