[发明专利]用于低温覆晶接合的接合垫结构有效

专利信息
申请号: 201510673494.4 申请日: 2015-10-16
公开(公告)号: CN105529279B 公开(公告)日: 2018-07-31
发明(设计)人: L·英格兰;C·克勒韦尔 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要: 发明涉及一种用于低温覆晶接合的接合垫结构,其中揭露用于制备三维集成化半导体元件的方法及所造成的元件。实施例包含分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体元件上,该第一及第二接合垫的每一个具有多个金属区段,该第一接合垫的该金属区段具有不同于该第二接合垫的该金属区段的配置或者具有与该第二接合垫的该金属区段的配置相同但是相对于该第二接合垫而旋转的配置;以及通过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体元件接合在一起。
搜索关键词: 用于 低温 接合 结构
【主权项】:
1.一种制造半导体元件的方法,包括:分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体元件上,该第一及该第二接合垫每一个具有多个金属区段,该第一接合垫的该金属区段具有与该第二接合垫的该金属区段不同的配置或者具有与该第二接合垫的该金属区段的配置相同但是相对于该第二接合垫而旋转的配置,且其中,在该第一半导体元件上的该第一接合垫的该金属区段包括纵列区段,该纵列为彼此交错配置,以及在该第二半导体元件上的该第二接合垫的该金属区段包括横列区段,该横列为彼此交错配置,其中,该纵列区段为垂直于该横列区段;以及通过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体元件接合在一起。
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