[发明专利]用于低温覆晶接合的接合垫结构有效
申请号: | 201510673494.4 | 申请日: | 2015-10-16 |
公开(公告)号: | CN105529279B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | L·英格兰;C·克勒韦尔 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于低温覆晶接合的接合垫结构,其中揭露用于制备三维集成化半导体元件的方法及所造成的元件。实施例包含分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体元件上,该第一及第二接合垫的每一个具有多个金属区段,该第一接合垫的该金属区段具有不同于该第二接合垫的该金属区段的配置或者具有与该第二接合垫的该金属区段的配置相同但是相对于该第二接合垫而旋转的配置;以及通过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体元件接合在一起。 | ||
搜索关键词: | 用于 低温 接合 结构 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体元件的方法,包括:分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体元件上,该第一及该第二接合垫每一个具有多个金属区段,该第一接合垫的该金属区段具有与该第二接合垫的该金属区段不同的配置或者具有与该第二接合垫的该金属区段的配置相同但是相对于该第二接合垫而旋转的配置,且其中,在该第一半导体元件上的该第一接合垫的该金属区段包括纵列区段,该纵列为彼此交错配置,以及在该第二半导体元件上的该第二接合垫的该金属区段包括横列区段,该横列为彼此交错配置,其中,该纵列区段为垂直于该横列区段;以及通过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体元件接合在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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