[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体装置，其能够抑制在陶瓷基板中产生裂纹，并将陶瓷间金属作为电极使用。具有：陶瓷间金属，其具有中间部、第1上攀部、第2上攀部、第1连接部以及第2连接部，其中，该中间部夹在第1陶瓷基板的上表面和第2陶瓷基板的下表面之间，该第1上攀部形成于该第2陶瓷基板的上表面，该第2上攀部形成于该第2陶瓷基板的上表面，该第1连接部与该第2陶瓷基板的外缘相接并将该中间部和该第1上攀部连接，该第2连接部与该第2陶瓷基板的外缘相接并将该中间部和该第2上攀部连接；电路图案，其由金属形成在该第2陶瓷基板之上；以及半导体元件，其设置在该电路图案之上，流过该半导体元件的电流在该陶瓷间金属中流动。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第1陶瓷基板；第2陶瓷基板；陶瓷间金属，其具有中间部、第1上攀部、第2上攀部、第1连接部以及第2连接部，其中，该中间部夹在所述第1陶瓷基板的上表面和所述第2陶瓷基板的下表面之间，该第1上攀部形成于所述第2陶瓷基板的上表面，该第2上攀部形成于所述第2陶瓷基板的上表面，该第1连接部与所述第2陶瓷基板的外缘相接并将所述中间部和所述第1上攀部连接，该第2连接部与所述第2陶瓷基板的外缘相接并将所述中间部和所述第2上攀部连接；电路图案，其由金属形成在所述第2陶瓷基板之上；半导体元件，其设置在所述电路图案之上；以及基座板，其具有与所述第1陶瓷基板的下表面相接的平坦部以及与所述第1陶瓷基板的外缘和上表面相接的厚膜部，流过所述半导体元件的电流在所述陶瓷间金属中流动。