[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510674345.X | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN106601620B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片；步骤S2：在所述输入输出区上的所述半导体衬底上以及所述鳍片底部的侧壁上形成衬垫层；步骤S3：在所述核心区的半导体衬底上、所述鳍片的表面上以及所述输入输出区中的所述衬垫层上和所述鳍片顶部的表面上依次形成含硼材料层和覆盖层；步骤S4：在所述覆盖层上形成隔离材料层至所述衬垫层顶部或以上，以部分覆盖所述鳍片；步骤S5：去除露出的所述鳍片上的所述含硼材料层和所述覆盖层；步骤S6：执行退火步骤，以使所述含硼材料中的硼扩散至沟道停止区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片；步骤S2：在所述输入输出区上的所述半导体衬底上以及所述鳍片底部的侧壁上形成露出目标高度的鳍片的衬垫层；步骤S3：在所述核心区的所述半导体衬底上、所述鳍片的表面上以及所述输入输出区中的所述衬垫层上和所述鳍片顶部的表面上依次形成含硼材料层和覆盖层；步骤S4：在所述覆盖层上形成隔离材料层，以部分覆盖所述鳍片，形成所述目标高度的鳍片；步骤S5：去除露出的所述鳍片上的所述含硼材料层和所述覆盖层，以露出所述鳍片；步骤S6：执行退火步骤，以使所述含硼材料中的硼扩散至沟道停止区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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