[发明专利]发光设备有效
| 申请号： | 201510683630.8 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105529384B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 金彰渊;朴柱勇;孙成寿 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张洋;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光设备。所述发光设备包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、有源层及第一导电型半导体层的上表面的部分暴露区域；透明电极，其设置于第二导电型半导体层上；第一绝缘层，其包括第一开口和第二开口；金属层，其至少部分覆盖第一绝缘层；与第一导电型半导体层电连接的第一电极；以及与透明电极电连接的第二电极。本发明能够防止发光设备的电特性发生恶化，同时能够改善发光设备的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 设备 | ||
【主权项】：
1.一种发光设备，其包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层，设置在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层，设置于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层，以及所述第一导电型半导体层的上表面的部分暴露区域；透明电极，其设置于所述第二导电型半导体层上且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；第一绝缘层，其覆盖所述发光结构和所述透明电极，并且包括分别暴露所述第一导电型半导体层的上表面的所述部分暴露区域和所述透明电极的一部分的第一开口和第二开口；金属层，其至少部分覆盖所述第一绝缘层且延伸至所述第二导电型半导体层的上表面；第一电极，与所述第一导电型半导体层电连接；以及第二电极，与所述透明电极电连接，其中所述透明电极、所述第一绝缘层和所述金属层堆叠的部分为全方向反射器，所述透明电极覆盖所述第二导电型半导体层的整个上表面，且覆盖所述第二导电型半导体层的外周。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司，未经首尔伟傲世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510683630.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
