[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201510684583.9 申请日: 2015-10-20
公开(公告)号: CN105140300B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 顾可可;杨妮;胡伟;苟中平;刘信;齐智坚;侯宇松;陈帅 申请(专利权)人: 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/1333
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 400714 重庆市北碚区*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置,其中的薄膜晶体管包括同层设置的第一电极图形与第二电极图形;所述第一电极图形包括沿第一方向延伸的第一条状部,所述第二电极图形包括围绕所述第一条状部的第一端的弯曲部;所述第二电极图形还包括从所述弯曲部的第一端沿所述第一方向延伸的第二条状部;该薄膜晶体管的沟道的形成区域包括所述弯曲部与所述第一条状部之间所夹的区域,以及所述第二条状部与所述第一条状部之间所夹的区域。本发明可以在不增大薄膜晶体管设置面积的前提下增加沟道宽度,从而可以用于器件性能的提升或者设置面积的减小,有利于产品成本的降低和产品性能的提升。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括同层设置的第一电极图形与第二电极图形;所述第一电极图形包括沿第一方向延伸的第一条状部,所述第二电极图形包括围绕所述第一条状部的第一端的弯曲部;所述第二电极图形还包括从所述弯曲部的第一端沿所述第一方向延伸的第二条状部,所述第二条状部不增大所述薄膜晶体管的设置面积;该薄膜晶体管的沟道的形成区域包括所述弯曲部与所述第一条状部之间所夹的区域,以及所述第二条状部与所述第一条状部之间所夹的区域;所述第一电极图形还包括与所述第一条状部的第二端相接的本体部;所述第二条状部的一端与所述本体部的一侧边缘对齐;该薄膜晶体管的沟道的形成区域还包括所述第二条状部与所述本体部之间所夹的区域;所述薄膜晶体管还包括有源层图形;所述薄膜晶体管的沟道的形成区域位于所述有源层图形的设置区域内。
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