[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201510690768.0 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN106611710A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，本发明在所述NMOS区域的基底内直接注入第一防穿通离子以形成第一注入层，之后通过刻蚀基底形成多个鳍部，且位于NMOS区域的第一鳍部之间的基底表面低于所述第一注入层，位于所述第一鳍部中剩余的第一注入层构成第一防穿通层，从而使第一防穿通离子主要分布在分离的第一鳍部内，从而减少了第一防穿通离子的扩散，减少由于扩散而导致的第一防穿通离子的注入剂量损失，降低了第一防穿通离子扩散进入PMOS区域的可能，从而提高所形成的半导体结构的性能，提高制造半导体结构的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻的NMOS区域和PMOS区域；向所述NMOS区域的基底内注入第一防穿通离子，在所述NMOS区域的基底内形成第一注入层；刻蚀所述基底形成多个鳍部，包括位于NMOS区域的第一鳍部，所述第一鳍部之间的基底表面低于所述第一注入层，位于所述第一鳍部中剩余的第一注入层构成第一防穿通层；在所述第一鳍部之间形成隔离结构，所述隔离结构的表面高于所述第一防穿通层的顶部；进行退火工艺，以激活所述第一防穿通层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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