[发明专利]多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板在审
| 申请号： | 201510691223.1 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105336684A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 孙双;张斌 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板，涉及显示技术领域，为解决多晶硅阵列基板的制作过程较为复杂，制作困难的问题。所述多晶硅阵列基板的制作方法，包括：依次形成栅极绝缘材料层、层间绝缘材料层和树脂材料层，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案；和/或，依次形成公共电极层和源/漏电极层，通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案。所述多晶硅阵列基板由上述技术方案所提到的制作方法包括上述技术方案制作得到，所述显示面板包括上述技术方案所提的多晶硅阵列基板。本发明提供的多晶硅阵列基板的制作方法用于制作多晶硅阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：依次形成栅极绝缘材料层、层间绝缘材料层和树脂材料层，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案；和/或，依次形成公共电极层和源/漏电极层，通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
