[发明专利]基板处理装置和基板清洁方法在审
| 申请号： | 201510698174.4 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105551999A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李成洙;赵根济;权淳甲;金钟翰;李福圭;朱润钟 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所(普通合伙) 11458 | 代理人： | 李波 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种基板处理装置。所述基板处理装置包括：一壳体，定义用于在其中处理一基板的一空间；一旋转头，在所述壳体中支撑和旋转所述基板；一喷射单元，包括一第一喷嘴构件，用于在放置于所述旋转头上的所述基板上喷射第一处理溶液；以及一控制器，控制所述喷射单元。所述控制器在将所述第一喷嘴构件在所述基板上方在基板的边缘和中心区域之间移动的同时喷射第一处理溶液。所述控制器有区别地调节在所述基板边缘区域上喷射第一处理溶液所在的一第一高度和在所述基板中心区域上喷射第一处理溶液所在的一第二高度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，包括：一壳体，定义用于在其中处理一基板的一空间；一旋转头，在所述壳体中支撑和旋转所述基板；一喷射单元，包括一第一喷嘴构件，用于在放置于所述旋转头上的所述基板上喷射第一处理溶液；以及一控制器，控制所述喷射单元，其中，所述控制器在将所述第一喷嘴构件在所述基板上方在基板的边缘和中心区域之间移动的同时喷射第一处理溶液；以及其中，所述控制器有区别地调节在所述基板边缘区域上喷射第一处理溶液所在的一第一高度和在所述基板中心区域上喷射第一处理溶液所在的一第二高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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