[发明专利]半导体及制造方法在审
| 申请号： | 201510698268.1 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105552018A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 胡炳华;欧根·蓬皮柳·门德里切卢;索帕·切瓦乍龙库尔 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体及制造半导体的方法。一种集成电路包含具有半导体材料的衬底。第一深沟槽(304)位于所述半导体材料中且以第一方向延伸。第二深沟槽(306)位于所述半导体材料中且以第二方向延伸。交叉区域(328)位于所述第一深沟槽(304)与所述第二深沟槽(306)的相交处。结构位于所述交叉区域(328)中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其包括：包括半导体材料的衬底；位于所述半导体材料中且以第一方向延伸的第一深沟槽；位于所述半导体材料中且以第二方向延伸的第二深沟槽；以及所述第一深沟槽与所述第二深沟槽相交处的交叉区域；以及位于所述交叉区域中的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
