[发明专利]一种消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，通过在平坦化处理后的晶圆表面初步形成SiO2膜后，通过一等离子体处理工艺除去制备SiO2膜过程中的未反应完的残气，然后再在反应腔中充入载气，进一步除去未反应完全的残气，本技术方案有效减少了晶圆的靠近抽气口的边缘产生的bump颗粒，有效避免了bump颗粒给颗粒缺陷检测带来的影响，提高了缺陷颗粒检测的正确性。

主权项

一种消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其特征在于，所述工艺包括：提供一经过平坦化工艺处理的晶圆；于反应腔室中充入一气体，在所述晶圆的经过所述平坦化工艺处理的表面生长SiO2膜；采用第一等离子工艺处理所述生长有SiO2膜后剩余的气体；于反应腔室中通入载气；将晶圆送出所述反应腔。