[发明专利]一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510704624.6 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105200382A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 温翠莲;陈志坚;周白杨;詹晓章;黄小桂;熊锐;林逵 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制备得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Ge掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Ge元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Ge元素的均匀性。本发明具有膜层与衬底结合力强、膜层均匀致密且工艺简单、成本低等优势，具有重大的工业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge 掺杂 mg sub si 热电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜的制备方法，其特征在于：采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射，其中，一靶位放Mg2Si靶，电源选用射频电源；另一靶位放Ge靶，电源选用直流电源；对绝缘衬底进行有机溶剂超声波清洗；本底真空度优于6.5×10‑4 Pa，工作气体为高纯Ar气，工作气压为0.1～5.0 Pa；先在衬底上镀一层Mg2Si，接着镀一层Ge，再镀一层Mg2Si；如此往复多次，制得具有叠层结构的薄膜，最后采用真空退火获得Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。
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