[发明专利]像素阵列在审

专利信息
申请号: 201510704785.5 申请日: 2015-10-27
公开(公告)号: CN105185295A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 廖彩惠;沈孟纬;郑启彬 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09F9/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种像素阵列,包括第一图案化金属层、第一绝缘层、第二图案化金属层、第二绝缘层及第三图案化金属层。第一图案化金属层包括第一扫描线、第一栅极及第二栅极。第一栅极电连接于第一扫描线。第一绝缘层配置于第一图案化金属层上。第二图案化金属层配置于第一绝缘层上。第二绝缘层配置于第二图案化金属层上。第一绝缘层及第二绝缘层共同具有贯穿第一绝缘层及第二绝缘层以暴露出第二栅极的接触窗。第三图案化金属层配置于第二绝缘层上,且包括通过接触窗与第二栅极电连接的第二扫描线,其中第二扫描线与第一扫描线于垂直投影方向上重叠。本发明通过分属于不同金属膜层的第一扫描线与第二扫描线,能够使像素阵列具有高开口率。
搜索关键词: 像素 阵列
【主权项】:
一种像素阵列,其特征在于,包括:一基板;一第一图案化金属层,配置于该基板上,且包括一第一扫描线、一第一栅极以及一第二栅极,其中该第一栅极电连接于该第一扫描线;一第一绝缘层,配置于该第一图案化金属层与该基板上;一图案化半导体层,配置于该第一绝缘层上,其中该图案化半导体层包括在垂直投影方向上与该第一栅极重叠的一第一半导体图案层以及与该第二栅极重叠的一第二半导体图案层;一第二图案化金属层,配置于该图案化半导体层及该第一绝缘层上,且该第二图案化金属层包括一数据线、一第一源极、一第一漏极、一第二源极以及一第二漏极;一透明导电层,配置于该第一绝缘层上,且包括与该第一漏极电连接的一第一透明导电层以及与该第二漏极电连接的一第二透明导电层;一第二绝缘层,配置于该第二图案化金属层及该第一绝缘层上,其中该第一绝缘层及该第二绝缘层共同具有贯穿该第一绝缘层及该第二绝缘层以暴露出该第二栅极的一接触窗;以及一第三图案化金属层,配置于该第二绝缘层上,且包括一第二扫描线,其中该第二扫描线通过该接触窗与该第二栅极电连接,且该第二扫描线与该第一扫描线于垂直投影方向上重叠。
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