[发明专利]像素阵列及其掩模结构在审
申请号: | 201510704842.X | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105374851A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 林冠亨;陈重嘉;李孟庭 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王涛 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种像素阵列及其掩模结构,该像素阵列包括基板,基板包括第一区域、第二区域及第三区域。该第一区域的长边与该第三区域的长边之间的夹角为60度至120度,且该第二区域的长边与该第三区域的长边之间的夹角为60度至120度。至少两个第一颜色子像素,沿着该第一区域的长边方向而设置于该第一区域中;至少两个第二颜色子像素,沿着该第二区域的长边方向而设置于该第二区域中;及至少两个第三颜色子像素,沿着该第三区域的长边方向而设置于该第三区域中,其中该第一区域内的其中一个第一颜色子像素、该第二区域内的其中一个第二颜色子像素及该第三区域内的其中一个第三颜色子像素构成像素单元。本发明能制出像素密度及分辨率更高的像素阵列。 | ||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种像素阵列,其特征在于,包括:一基板,包括一第一区域、一第二区域以及一第三区域,所述第一区域的一长边与所述第三区域的一长边之间的夹角为60度至120度,且所述第二区域的一长边与所述第三区域的一长边之间的夹角为60度至120度;至少两个第一颜色子像素,沿着所述第一区域的一长边方向而设置于所述第一区域中;至少两个第二颜色子像素,沿着所述第二区域的一长边方向而设置于所述第二区域中;以及至少两个第三颜色子像素,沿着所述第三区域的一长边方向而设置于所述第三区域中,其中所述第一区域内的其中一第一颜色子像素、所述第二区域内的其中一第二颜色子像素以及所述第三区域内的其中一第三颜色子像素构成一像素单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510704842.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有锥形栅极结构的半导体器件和方法
- 下一篇:半导体结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的