[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：在栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成介质层；刻蚀位于源漏互连区上方的介质层，形成位于源漏互连区上方的第一凹槽，同时刻蚀位于桥连区上方的介质层，形成位于桥连区上方的第二凹槽；形成填充满第一凹槽的第零层导电层，同时形成填充满第二凹槽的桥连导电层，第零层导电层与源漏互连区内的源漏极电连接；刻蚀位于栅极互连区上方的介质层，在介质层内形成位于栅极互连区上方的第三凹槽，第三凹槽暴露出栅极互连区的栅极结构表面；形成填充满所述第三凹槽的第零层栅导电层，且相邻第零层栅导电层与所述桥连导电层侧壁相接触。本发明改善形成的半导体结构的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有分立的栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏极，其中，所述基底具有栅极互连区、以及位于相邻栅极互连区之间的桥连区，所述栅极互连区以及桥连区分别与不同的栅极结构相对应，所述基底还具有与源漏极相对应的源漏互连区，所述源漏互连区横跨若干个源漏极，且所述栅极互连区、桥连区以及源漏互连区相互独立；在所述栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成介质层；刻蚀位于源漏互连区上方的介质层，在所述介质层内形成位于源漏互连区上方的第一凹槽，同时刻蚀位于桥连区上方的介质层，在所述介质层内形成位于桥连区上方的第二凹槽，其中，所述第二凹槽投影于基底表面的投影图形至少铺满桥连区；形成填充满所述第一凹槽的第零层导电层，同时形成填充满所述第二凹槽的桥连导电层，所述第零层导电层与源漏互连区内的源漏极电连接；刻蚀位于栅极互连区上方的介质层，在所述介质层内形成位于栅极互连区上方的第三凹槽，所述第三凹槽暴露出栅极互连区的栅极结构表面，所述第三凹槽还暴露出桥连导电层侧壁表面；形成填充满所述第三凹槽的第零层栅导电层，且相邻第零层栅导电层与所述桥连导电层侧壁相接触。