[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统、立体闪存、动态随机存储器及半导体器件。本发明的课题在于在表面的至少一部分露出有绝缘膜的衬底上形成Si膜时，提高所形成的Si膜的膜质。本发明的技术手段为具有：衬底，由单晶硅构成；绝缘膜，形成于衬底的表面；第一硅膜，通过在单晶硅上以单晶硅为基底进行同质外延生长而形成；和第二硅膜，形成于绝缘膜上，且晶体结构与第一硅膜不同。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，具有下述工序：在第一处理气体中包含的硅不发生堆积的温度下，将对表面露出有单晶硅和绝缘膜的衬底供给包含硅和卤素的所述第一处理气体的工序和对所述衬底供给包含硅且不含卤素的第二处理气体的工序交替进行，从而使第一硅晶种层在所述单晶硅上同质外延生长，并且使晶体结构与所述第一硅晶种层不同的第二硅晶种层在所述绝缘膜上生长的工序；和对所述衬底供给包含硅的第三处理气体，从而使第一硅膜在所述第一硅晶种层上同质外延生长，并且使晶体结构与所述第一硅膜不同的第二硅膜在所述第二硅晶种层上生长的工序。