[发明专利]制造三维集成电路的方法有效
| 申请号： | 201510710791.1 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105575889B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨之光 | 申请（专利权）人： | 巨擘科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造三维集成电路的方法，所述方法包括：提供一基板；于该基板上形成至少一金属层以及至少一介电层；于该金属层上形成若干个电性连接点；切割以产生若干个封装单元，每一封装单元贴附在一切割后基板上；反转每一封装单元并将每一反转的封装单元接合至一线路基板之一表面上以形成一整合线路板；以及移除各每一反转的封装单元之切割后基板。本发明可以便于进行组装程序。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 三维集成电路 方法 | ||
【主权项】：
一种制造三维集成电路的方法，其特征在于，包括：提供一基板；于该基板上形成至少一金属层以及至少一介电层；于该金属层上形成若干个电性连接点；切割以产生若干个封装单元，每一封装单元贴附在一切割后基板上；反转每一封装单元并将每一反转的封装单元接合至一线路基板之一表面上以形成一整合线路板，其中该整合线路板包括一高密度接点区域以及一低密度接点区域，该高密度接点区域包括各每一反转的封装单元之一外表面的区域，该低密度接点区域包括各每一反转的封装单元未覆盖的区域；以及移除各每一反转的封装单元之切割后基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
