[发明专利]半导体器件的横向变掺杂结终端结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510716907.2 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105304696B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李学会 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，包括步骤：提供第一导电类型的衬底；在衬底表面形成场限环离子注入的掩膜，露出位于主结和截止环之间的多个场限环离子注入窗口；各个注入窗口的宽度和间距沿截止环指向主结的方向逐渐增大；通过所述掩膜进行场限环离子注入，注入第二导电类型的离子；进行热扩散，使通过掩膜注入的离子形成场限环。本发明还涉及一种半导体器件的横向变掺杂(VLD)终端结构。本发明将VLD终端结构离子注入浓度线性变化、终端技术效率高的优点和场限环承担耐压的优点很好地结合在一起，解决了常规VLD设计中耐压过于集中的问题，使耐压分布均匀，Idss有较大的减小，从而能制造出低成本、高可靠性的功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 横向 掺杂 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，包括步骤：提供第一导电类型的衬底；在衬底表面形成场限环离子注入的掩膜，露出位于主结和截止环之间的多个场限环离子注入窗口；各个注入窗口的宽度和间距沿截止环指向主结的方向逐渐增大，注入窗口的宽度为沿截止环指向主结的方向的等差数列；通过所述掩膜进行场限环离子注入，注入第二导电类型的离子；进行热扩散，使通过所述掩膜注入的离子形成多个彼此交叠的场限环，这些场限环组成注入离子浓度呈线性变化的横向变掺杂结。
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