[发明专利]一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法在审
| 申请号： | 201510726067.8 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105293498A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张国华;吴跃东;周国治 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C04B35/565;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法。所述制备碳化硅粉的方法以多晶硅切割废料为原料，将所述多晶硅切割废料研磨过筛后加入浸出溶液进行湿法浸出除铁，经过抽滤、清洗及干燥获得除铁后多晶硅废料，在所述除铁后多晶硅废料中配加碳粉并研磨混匀，然后添加粘结剂并压块成型，在高温炉中，氩气气氛中反应烧结，制备获得所述碳化硅粉。本发明利用多晶硅切割废料为原料，降低了生产成本低，并生产工艺简单、能耗低，获得的碳化硅粉具有强度高的特点，具有很高的商业价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 多晶 切割 废料 制备 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法，其特征在于，所述制备碳化硅粉的方法以多晶硅切割废料为原料，经过湿法浸出除铁后配入碳粉，然后进行低温度的烧结处理，制备得到碳化硅粉, 所述碳化硅粉的成分为α‑SiC和β‑SiC。
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