[发明专利]产生微静电场的抛光组件及化学抛光设备在审
申请号: | 201510743019.X | 申请日: | 2015-11-04 |
公开(公告)号: | CN105405791A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 陈盈同 | 申请(专利权)人: | 咏巨科技有限公司;陈盈同 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B24B1/00;B24B37/04 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 产生微静电场的抛光组件及化学抛光设备,属于化学抛光设备技术领域。包括一抛光机平台及带有提供微静电场的一抛光组件。抛光组件设置在抛光机平台的上方,且抛光组件包括一电场产生单元及一抛光垫,抛光垫具有一抛光区域与一底面。其中电场产生单元通过接收一外加电压以产生一微静电场,且微静电场施加于抛光垫的抛光区域。藉此,可以降低半导体晶圆表面的刮伤程度、避免机械应力的残留,同时能够减少抛光液的耗损,提供更好的抛光效率。 | ||
搜索关键词: | 产生 静电场 抛光 组件 化学抛光 设备 | ||
【主权项】:
产生微静电场的抛光组件,适用于一化学抛光设备,其特征在于,该抛光组件包括一电场产生单元及一抛光垫,该抛光垫具有一抛光区域与一底面,该电场产生单元具有至少一电容结构并通过接收一外加电压以产生一微静电场,并且将该微静电场施加于该抛光垫的该抛光区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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